HPPD系列非制冷型光电探测器


非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器,兼容Si(硅)、InGaAs(铟镓砷)HgCdTe(碲镉汞,MCT)、铟砷锑等半导体光电二极管,对0.4~12um的光谱波段光波敏感。

该探测器是直流耦合输出,含低噪声、宽带宽的前置运放探测器外壳采用全铝合金材料,即可起到屏蔽环境电磁干扰,也具备良好的散热性能。





                  


联系方式:

张经理  180 7266 8213  /  王经理  156 1892 2826 

电话    180 5741 0285   /  电话   0574 8835 7326



  • 产品详情

产品参数

技术指标

探测器材料

铟镓砷、硅、碲镉汞

响应波长范

0.4 - 12um ——注解1

输出电压

±12V(Hi-Z负载); ——注解1

供电电压

±12VDC(电源适配器);

信号输出接口

SMA

工作温度范围

10 - 40℃

储存温度范围

-25 - 70℃

尺寸

56×54.5×20.5mm3

重量

100g

信号带宽

DC - 1MHz

跨阻增益

15000V/A(Hi-Z 负载);7500V/A(50Ω 负载)

注解1:具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同

硅探测器:0.4-1.7um

铟镓砷探测器:0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um

碲镉汞探测器:4-12um

铟砷锑探测器:4-12um


型号规格

HPPD   -  A  -  D  -  X  -  XX  -  XX -  XX

                ①     ②    ③      ④       ⑤      ⑥



=A

集成 TEC 驱动

=D

流耦合输出

③=S;I;H;A

代表探测器材质S=硅探测器;I代表铟镓砷探测器;H代表碲镉汞探测器A代表铟砷锑探测

④ =01;02;03;04依次类推

探测截止波长; 01表示截止波长为1um,02表示截止波长为2um,03表示截止波长为3um,依次类推。客户采购前需咨询。

⑤ =02,05,10,...

感光面积;02表示感光面积为0.2mm2,05表示感光面积为0.5mm2。客户采购前需咨询

⑥ =01K, 02K, ...or 20 K

前置放大器增益,默认15K不标识。客户采购前需咨询。

例如

HPPD-A-D-S-02-10-10K

该探测器规格为:硅探测器,一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合,波长2um,增益为10K的探测器

注意事项:

1. 以上产品规格如有变更,恕不另行通知。

2. 建议在储存,运输和使用时采用合适的ESD保护措施。


结构尺寸(单位: mm)

非制冷型光电探测器结构尺寸示意图


文档下载
  • 产品简介:低噪声前置放大光电探测器 (0.4-2.1 um)

    HPPD-I/HPPD-S 低噪声前置放大光电探测器(0.4-2.1 um)
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