HPPD-M-B 前置放大制冷一体型碲镉汞红外探测器

       MCT 红外探测器是一种HgCdTe(碲镉汞,MCT)材料制备的高灵敏度光电探测器,这种材料对2~12um的中红外光谱波段光波最敏感。

       该探测器可以是直流或交流耦合输出。探测器与前置放大电路,半导体热电冷却器(TEC)控制器高度集成,通过反馈电路将探测器元件的温度控制在负四十摄氏度,从而将热噪声对输出信号的影响最小化。探测器外壳采用全铝合金材料,即可起到屏蔽环境电磁干扰,也具备良好的散热性能。




      联系方式:张经理  180 7266 8213  /  王经理  156 1892 2826 

                        王经理  189 6828 0596   /  电话   0574 8835 7326
                  



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• 半导体冷却型碲镉汞红外光电探测器;

• 对2~12 um的中红外光谱波段光波敏感;
• 内部一体化集成低噪声前置运放+TEC控制单元;
• TEC热电冷却稳定 -80℃-40℃,极大地降低了热噪声;
• 高性价比,提供高速频率带宽定制服务。



产品参数

 探测器材料

 碲镉汞(MCT),HgCdTe

 响应波长范围

 2~12 um

 峰值响应波长(λp)

 3um, 4um, 5um, 6um, 7um, 8um, 9um, 10um,11um,12um(可选)

 峰值响应

 Typ. 10 ~ 100 V/W

 光敏面积

 Typ. 1mm2

 信号带宽

 DC ~ 20MHz

 输出电压

 ±VHi-Z 负载);±2.5V50Ω 负载

 跨阻增益

 15000V/AHi-Z 负载);7500V/A50Ω 负载

 供电电

 ±5VDC探测器模块);220VAC(电源模块)

 信号输出接口

 SMA

 工作温度范围

 10℃ 至 50℃

 存储温度范围

 -25℃ 至 70℃

 尺寸

 60mm*60mm*64 mm

 重量

 0.2 kg




型号规格


HPPD - X - X - XX - XX - XX

            ①  ②   ③    ④     ⑤


 ①=A

 常温(Ambient)探测器,不集成 TEC 驱动

 ①=M

 多级(Multi-stage)制冷探测器,集成 TEC 驱动(默认)

 ②=A

 直流耦合输出

 ②=B

 交流耦合输出(默认)

 ③=02、03…

 探测器峰值响应波长;02 表示峰值响应波长为 2 μm,03表示峰值响应波长为 3 μm…

 ④=05、10…

 感光面积 05 表示感光面积为0.5*0.5 mm2,10 表示感光面积为 1*1 mm2

 ⑤=01、02…

 前置放大器增益;01 表示增益为 1 kV/A,02 表示增益为2 kV/A…(默认 15)

例如:HPPD-M-B-08-10-10


          该型号为含 TEC 温控器的多级制冷 MCT,输出交流耦合,峰值响应波长为8 μm,探测器芯片感光面为 1.0 mm2,前置运放跨阻增益为 10 kV/A。


注意:

   以上产品规格如有变更,恕不另行通知;

   有关探测器芯片参数,采购前请提前咨询。



产品结构尺寸图




  • 产品简介:制冷型前置放大碲镉汞红外探测器

    HPPD-M-B 制冷型前置放大碲镉汞红外探测器
  • 产品说明书:制冷型前置放大碲镉汞红外探测器

    HPPD-M-B 制冷型前置放大碲镉汞红外探测器产品说明书
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